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共同利用機器
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Infomation

  
ID32
装置名半導体測定装置
型式ナガセ BCT-60MDCRE
所属総合理工学部 物理・マテリアル工学科
装置概要ウエハ内に作製されたデバイスの低温電気的特性をウエハ状態のままで測定するための装置である.冷却はヘリウム極低温冷凍機を用いており,25Kまで低温化可能.ウエハを載せるサンプルステージは6インチ径.真空系は,ターボ分子ポンプとロータリーポンプを装備し,到達真空度は10-5Torr.プローブ系は同軸プローブ針を4本装備.システムリークは1pA以下.4台のマニュピレータにより所定の位置に同軸針を設定する.プローブ移動量は,X: ±3.8mm,Y: ±20.0mm,Z: ±3.8mm.プローブ移動量が小さいため,各プローブアームに設けられた4箇所の固定ネジを緩めて,これらを操作して顕微鏡で観察しながら位置決めする.プローブアームが湾曲しやすいこと,および,プローブ針先端とウエハ表面との間隔が2-3mmしかなく,針先とウエハ表面を破損しやすいことなどのため,位置決め操作に細心の注意を要する.
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Materials Analysis Division, ICSR, Shimane University 2008