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共同利用機器
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Infomation

  
ID28
装置名分子線エピタキシー装置
型式Riber社 2300R&D
所属総合理工学部 物理・マテリアル工学科
装置概要半導体単結晶薄膜を原子層レベルの膜厚制御性でエピタキシャル成長させるための装置である.主に半導体量子井戸構造や超格子構造の作製に用いる.半導体の構成元素を真空中で加熱し,それぞれの分子線として基板結晶上に照射し,堆積させる.超高真空を得るために装置の内壁に液体窒素を循環させて冷却する.成長中の表面状態を高エネルギー電子線回折(RHEED)によりその場観察できる.原料元素として砒素,ホウ素,ガリウム,インジウム,タリウムを使用している.超高真空を維持しなければならない上,半導体結晶への不純物の混入を極力避ける必要があるため,装置の操作は熟練者に限る.
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Materials Analysis Division, ICSR, Shimane University 2008